隨著中美科技較量短兵相接，兩會上代表委員們關於中國半導體產業發展的提案和建議備受矚目。其中民進中央擬提交“關於推動中國功率半導體產業科學發展的提案”。
提案表示，近年來，國家出台了一係列政策措施支持和推動半導體產業發展，取得了較為突出的成效，已基本完成了產業鏈的布局，且在功率半導體領域呈現多點開花的良好形勢。
但是，當前從全球功率半導體市場看，一方麵傳統的矽材料功率半導體仍然有巨大的發展空間，有研究顯示全球市場的碳化矽及氮化镓等新材料功率半導體芯片市場應用量是約3億多美金，矽材料功率半導體芯片市場應用量超過200億美金。國際市場的IGBT芯片主流是矽材料5代、6代及7代產品，國際功率半導體行業認為，矽材料功率半導體材料已經有30多年的大規模市場應用驗證，穩定可靠，價格低，尚有技術發展空間等特點，在未來至少7至8年左右仍是市場應用主流。另一方麵以碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）為代表的第三代半導體材料正蓬勃發展，而我國碳化矽、氮化镓功率半導體器件研發起步晚，在技術上仍有很大差距。可喜的是，在國家多項科研計劃的扶持下，這方麵已經大幅縮小了與國際的技術差距，並取得了不少成就。
隨著工業、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷湧現以及節能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產業新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。
